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Si2305ADS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
12
12
9
6
3
V GS = 4.5 V thru 2 V
V GS = 1.5 V
9
6
3
0
V GS = 0.5 V
V GS = 1 V
0
T C = 125 °C
T C = 25 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.10
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.0 8
0.06
V GS = 1.8 V
900
600
C iss
V GS = 2.5 V
C oss
0.04
0.02
V GS = 4.5 V
300
0
C rss
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
4.5
I D = 4.1 A
1.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
3.6
2.7
V DS = 4 V
V DS = 6.4 V
1.3
1.1
V DS = 2.5 V, I D = 3.4 A
V DS = 4.5 V, I D = 4.1 A
1. 8
0.9
0.9
0.0
0.7
0.0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
9.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69940
S09-0538-Rev. D, 06-Apr-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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